ELECTRONIC DEFECTS IN III-V COMPOUND SEMICONDUCTORS .1. ELECTROCHEMICAL CHARACTERISTICS FOR N-GAAS

被引:0
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作者
REDSTALL, RM [1 ]
REGNAULT, JC [1 ]
STEVENSON, JL [1 ]
机构
[1] PO RES CTR,IPSWICH 1P5 7RE,SUFFOLK,ENGLAND
关键词
D O I
暂无
中图分类号
O646 [电化学、电解、磁化学];
学科分类号
081704 ;
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