USE OF FIELD-EFFECT TO DETERMINE ENERGY-DEPENDENCE OF LOCALIZED STATE DENSITY IN AMORPHOUS SEMICONDUCTORS

被引：4
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作者：
EGERTON, RF
机构：
来源：
SOLID STATE COMMUNICATIONS | 1972年 / 10卷 / 11期
关键词：
D O I：
10.1016/0038-1098(72)90901-5
中图分类号：
O469 [凝聚态物理学];
学科分类号：
070205 ;
摘要：
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页码：1081 / &
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