IMPROVEMENT OF GAAS-GAALAS DOUBLE-HETEROSTRUCTURE LASER WAFER BY GA1-XALXAS BUFFER LAYER

被引：2
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作者：
SHIMA, K
MORIMOTO, M
IMAI, H
FUJIWARA, T
TAKUSAGAWA, M
机构：
来源：
APPLIED PHYSICS LETTERS | 1980年 / 37卷 / 06期
关键词：
D O I：
10.1063/1.91990
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
引用
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页码：503 / 505
页数：3
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