SECONDARY RECRYSTALLIZATION IN VACUUM ANNEALED SILICON IRON

被引:5
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作者
BAER, G
GANZ, D
THOMAS, H
机构
关键词
D O I
10.1063/1.1984678
中图分类号
O59 [应用物理学];
学科分类号
摘要
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页码:S235 / S236
页数:2
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