INVESTIGATION OF DIODE STRUCTURES MADE OF SEMIINSULATING GALLIUM-ARSENIDE

被引:0
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作者
SULEIMANOV, SG [1 ]
机构
[1] ACAD SCI USSR,INST PHYS,MAKHACHKALA,USSR
来源
SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR | 1977年 / 11卷 / 07期
关键词
D O I
暂无
中图分类号
O469 [凝聚态物理学];
学科分类号
070205 ;
摘要
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页数:2
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