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INGAASP-INP AVALANCHE PHOTO-DIODE
被引:46
|
作者
:
TAKANASHI, Y
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TAKANASHI, Y
HORIKOSHI, Y
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HORIKOSHI, Y
机构
:
来源
:
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
|
1978年
/ 17卷
/ 11期
关键词
:
D O I
:
10.1143/JJAP.17.2065
中图分类号
:
O59 [应用物理学];
学科分类号
:
摘要
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页码:2065 / 2066
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相关论文
共 50 条
[1]
INGAASP-INP AVALANCHE PHOTO-DIODE PREPARED BY ZN-DIFFUSION
TAKANASHI, Y
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TAKANASHI, Y
HORIKOSHI, Y
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HORIKOSHI, Y
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1979,
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A PLANAR INP/INGAASP HETEROSTRUCTURE AVALANCHE PHOTO-DIODE
SHIRAI, T
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SHIRAI, T
YAMAZAKI, S
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YAMAZAKI, S
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KAWATA, H
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NAKAJIMA, K
KANEDA, T
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KANEDA, T
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[3]
ION-IMPLANTED INGAASP AVALANCHE PHOTO-DIODE
LAW, HD
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LAW, HD
TOMASETTA, LR
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TOMASETTA, LR
NAKANO, K
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NAKANO, K
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INFLUENCE OF MISFIT DISLOCATIONS ON 1.3 MU- INP/INGAASP AVALANCHE PHOTO-DIODE
KONDO, K
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YAMAZAKI, S
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NAKAJIMA, K
UMEBU, I
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UMEBU, I
KANEDA, T
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AKITA, K
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AKITA, K
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: 1670
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[5]
TUNABLE-BANDGAP INGAASP AVALANCHE PHOTO-DIODE DETECTORS
WASHINGTON, MA
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POLLACK, MA
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BEEBE, ED
CAPASSO, F
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CAPASSO, F
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES,
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(11)
: 1346
-
1346
[6]
HIGH-SPEED-RESPONSE INGAAS/INP HETEROSTRUCTURE AVALANCHE PHOTO-DIODE WITH INGAASP BUFFER LAYERS
MATSUSHIMA, Y
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MATSUSHIMA, Y
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AKIBA, S
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SAKAI, K
KUSHIRO, Y
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KUSHIRO, Y
NODA, Y
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NODA, Y
UTAKA, K
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UTAKA, K
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ANDO, H
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KANBE, H
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KANBE, H
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SUSA, N
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ANDO, H
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ANDO, H
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ANDO, H
SUSA, N
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SUSA, N
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KANBE, H
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AVALANCHE PHOTO-DIODE AS A PULSE RECEIVER
TRISHENKOV, MA
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TRISHENKOV, MA
RADIOTEKHNIKA I ELEKTRONIKA,
1979,
24
(08):
: 1649
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