INGAASP/INP PLANAR BURIED HETEROSTRUCTURE LASERS WITH SEMIINSULATING INP CURRENT BLOCKING LAYERS GROWN BY MOCVD

被引：14
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作者：
WAKAO, K
NAKAI, K
SANADA, T
KUNO, M
ODAGAWA, T
YAMAKOSHI, S
机构：
来源：
IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS | 1987年 / 23卷 / 06期
关键词：
D O I：
10.1109/JQE.1987.1073452
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
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页码：943 / 947
页数：5
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