FORMATION OF CAVITY IN SILICON AND ITS DEFORMATION DURING HEAT-TREATMENT

被引:0
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作者
YOSHIHIRO, N [1 ]
NATSUAKI, N [1 ]
机构
[1] HITACHI LTD,CENT RES LAB,KOKUBUNJI,TOKYO 185,JAPAN
关键词
D O I
暂无
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
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