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GROWTH AND CHARACTERIZATION OF INAS/IN1-XALXAS STRAINED-LAYER SUPERLATTICES ON GAAS
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作者
:
KATO, H
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KATO, H
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机构
:
来源
:
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
|
1987年
/ 62卷
/ 05期
关键词
:
D O I
:
10.1063/1.339549
中图分类号
:
O59 [应用物理学];
学科分类号
:
摘要
:
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共 50 条
[1]
GROWTH BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY AND CHARACTERIZATION OF INAS/GAAS STRAINED-LAYER SUPERLATTICES
GOLDSTEIN, L
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LEROUX, G
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GROWTH AND CHARACTERIZATION OF INAS/GA1-XINXSB STRAINED-LAYER SUPERLATTICES
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FABRICATION AND CHARACTERIZATION OF MBE GROWN INAS/GAAS STRAINED-LAYER SUPERLATTICES ON VARIOUSLY ORIENTED SUBSTRATES
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[8]
ATOMIC LAYER MBE GROWTH AND CHARACTERIZATION OF ALAS/INAS STRAINED LAYER SUPERLATTICES ON GAAS
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PSEUDO-ALLOY BEHAVIOR OF INAS-GAAS STRAINED-LAYER SUPERLATTICES
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OPTIMUM GROWTH TEMPERATURE DETERMINATION FOR GALNSB/INAS STRAINED-LAYER SUPERLATTICES
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JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B,
1993,
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