EFFECT OF LOCALIZED STATES NEAR THE METAL-INSULATOR-TRANSITION ON THE CONDUCTIVITY AND MAGNETOCONDUCTIVITY OF STRONGLY DOPED N-GERMANIUM

被引:0
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作者
IONOV, AN
SHLIMAK, IS
机构
关键词
D O I
暂无
中图分类号
O4 [物理学];
学科分类号
0702 ;
摘要
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页数:5
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