EPITAXIAL GROWTH OF GALLIUM ARSENIDE ON GERMANIUM SUBSTRATES .1. THE RELATIONSHIP BETWEEN FAULT FORMATION IN GALLIUM ARSENIDE FILMS AND THE SURFACE OF THEIR GERMANIUM SUBSTRATE

被引：16
|
作者：
GABOR, T
机构：
来源：
JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY | 1964年 / 111卷 / 07期
关键词：
D O I：
10.1149/1.2426260
中图分类号：
O646 [电化学、电解、磁化学];
学科分类号：
081704 ;
摘要：
引用
收藏
页码：817 / 820
页数：4
相关论文
共 50 条
12345