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NEC LAYS GROUNDWORK FOR 256M DRAM PRODUCTION
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作者
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PATTON, R
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PATTON, R
机构
:
来源
:
ELECTRONICS
|
1994年
/ 67卷
/ 23期
关键词
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D O I
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暂无
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[1]
SAMSUNG CLOSES IN ON 256M DRAM
NAKHIEON, K
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NAKHIEON, K
ELECTRONICS-US,
1994,
67
(16):
: 1
-
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[2]
ADVANCED METALLIZATION TECHNOLOGY FOR 256M DRAM
KUCHER, P
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机构:
IBM CORP,SEMICOND RES & DEV CTR,SIEMENS,HOPEWELL JCT,NY 12533
KUCHER, P
AOCHI, H
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机构:
IBM CORP,SEMICOND RES & DEV CTR,SIEMENS,HOPEWELL JCT,NY 12533
AOCHI, H
GAMBINO, J
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机构:
IBM CORP,SEMICOND RES & DEV CTR,SIEMENS,HOPEWELL JCT,NY 12533
GAMBINO, J
LICATA, T
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机构:
IBM CORP,SEMICOND RES & DEV CTR,SIEMENS,HOPEWELL JCT,NY 12533
LICATA, T
MATSUDA, T
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机构:
IBM CORP,SEMICOND RES & DEV CTR,SIEMENS,HOPEWELL JCT,NY 12533
MATSUDA, T
NGUYEN, S
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机构:
IBM CORP,SEMICOND RES & DEV CTR,SIEMENS,HOPEWELL JCT,NY 12533
NGUYEN, S
OKAZAKI, M
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IBM CORP,SEMICOND RES & DEV CTR,SIEMENS,HOPEWELL JCT,NY 12533
OKAZAKI, M
PALM, H
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IBM CORP,SEMICOND RES & DEV CTR,SIEMENS,HOPEWELL JCT,NY 12533
PALM, H
RONAY, M
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机构:
IBM CORP,SEMICOND RES & DEV CTR,SIEMENS,HOPEWELL JCT,NY 12533
RONAY, M
APPLIED SURFACE SCIENCE,
1995,
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陈兆铮
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1993,
(04)
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Park, JH
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Kim, YH
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李淑芳
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1992,
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1991,
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1998,
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