THERMAL CONDUCTIVITY MEASUREMENTS OF SILICON FROM 30 DEGREES TO 425 DEGREES C

被引:36
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作者
MORRIS, RG
HUST, JG
机构
来源
PHYSICAL REVIEW | 1961年 / 124卷 / 05期
关键词
D O I
10.1103/PhysRev.124.1426
中图分类号
O4 [物理学];
学科分类号
0702 ;
摘要
引用
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页码:1426 / &
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