INITIAL-STAGES OF EPITAXIAL-GROWTH - GALLIUM-ARSENIDE ON SILICON

被引:23
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作者
ZINKEALLMANG, M
FELDMAN, LC
NAKAHARA, S
机构
关键词
D O I
10.1063/1.99032
中图分类号
O59 [应用物理学];
学科分类号
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页数:3
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