BOUND-STATE ENERGY AND LINE-WIDTH DUE TO THE RESONANT INTERACTION BETWEEN OPTICAL PHONON AND ELECTRONIC-TRANSITIONS IN DEGENERATE SILICON

被引：5
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作者：
JOUANNE, M
KANEHISA, MA
MORHANGE, JF
RAVINDRA, NM
BALKANSKI, M
机构：
来源：
SOLID-STATE ELECTRONICS | 1985年 / 28卷 / 1-2期
关键词：
D O I：
10.1016/0038-1101(85)90208-4
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
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共 1 条
  • [1] BOUND STATE ENERGY AND LINE WIDTH DUE TO THE RESONANT INTERACTION BETWEEN OPTICAL PHONON AND ELECTRONIC TRANSITIONS IN DEGENERATE SILICON.
    Jouanne, M.
    Kanehisa, M.A.
    Morhange, J.F.
    Ravindra, N.M.
    Balkanski, M.
    Solid-State Electronics, 1984, 28 (1-2) : 39 - 45
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