p-Si/n-Ga2O3异质结制备与特性研究

本实验采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）工艺，在p（111）型Si衬底上制备了p-Si/n-Ga2O3结构的PN结。通过X射线衍射仪、原子力显微镜等对样品进行了晶体结构、表面形貌、表面粗糙度等的表征分析；通过磁控溅射与蒸镀方法在样品上生长Ti/Au电极并进行I-V特性曲线、开启电压、开关电流比、反向饱和电流、理想因子、零偏压下的势垒高度等结特性测试，研究了掺杂浓度与薄膜厚度对PN结特性的影响，并对其原因进行了分析；通过二步生长法和缓冲层温度优化实验，减少了Si衬底与β-Ga2O3之间的晶格失配与热失配带来的影响，对薄膜与器件特性进行了优化。最终获得了表面粗糙度最低可达到4.21 nm的高质量n型β-Ga2O3薄膜，以及具有较低理想因子（42.1）的PN结。