Recombination centers created by Ar+-ion implantation into SIMOX substrates (vol 145, pg 1795, 1998)

被引：0
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作者：
Takahashi, M
Sakakibara, Y
Ohno, T
机构：
来源：
JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY | 1998年 / 145卷 / 10期
关键词：
D O I：
10.1149/1.1848074
中图分类号：
O646 [电化学、电解、磁化学];
学科分类号：
081704 ;
摘要：
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页码：3697 / 3697
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