The metal-insulator transition in doped semiconductors: Transport properties and critical behavior

被引:0
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作者
Castner, TG [1 ]
机构
[1] Univ Massachusetts, Dept Phys, Lowell, MA 01854 USA
关键词
D O I
暂无
中图分类号
T [工业技术];
学科分类号
08 ;
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页数:28
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