Applications of high resolution immersion lens scanning electron microscopes to SEM-based defect review at 250nm design rules

被引：0

作者：

Tracey, B ^{[1
]}

机构：

[1] Adv Micro Devices Inc, Sunnyvale, CA 94088 USA

来源：

ELECTRON MICROSCOPY OF SEMICONDUCTING MATERIALS AND ULSI DEVICES | 1998年 / 523卷

关键词：

D O I：

10.1557/PROC-523-177

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页数：10