NANOWIRES Hall effect breaks new ground

被引：0
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作者：
LaPierre, Ray [1 ]
机构：
[1] McMaster Univ, Dept Engn Phys, Hamilton, ON L8S 4L7, Canada
来源：
NATURE NANOTECHNOLOGY | 2012年 / 7卷 / 11期
关键词：
D O I：
10.1038/nnano.2012.191
中图分类号：
TB3 [工程材料学];
学科分类号：
0805 ; 080502 ;
摘要：
Direct determination of carrier concentration and doping in a single nanowire is achieved by placing four electrical contacts along its sidewall.
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页数：2
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