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C／BNxC2（1－x）、BN／BNxC2（1－x）和C／BN异
被引：0
|作者：
郑永梅，王仁智，郑金成，何国敏
机构：
来源：
关键词：
宽带隙半导体，应变层超晶格，价带偏移;
D O I：
暂无
中图分类号：
O613.71 [碳C];
学科分类号：
摘要：
采用原子集团展开和平均键能相结合的方法．研究了宽带隙高温半导体、合金型应变居异质界面Ｃ／ＢＮｘＣ２（１－ｘ）、ＢＮ／ＢＮｘＣ２（１－ｘ）和生长在ＢＮｘＣ２（１－ｘ）合金衬底上的Ｃ／ＢＮ应变层异质结的价带偏移△Ｅｖ．结果表明：Ｃ／ＢＮｘＣ２（１－ｘ）和ＢＮ／ＢＮｘＣ２（１－ｘ）的△Ｅｖ随ｘ的变化是非线性的，而应变层Ｃ／ＢＮ的△Ｅｖ随ｘ的变化是接近于线性；三种异质结的△Ｅｖ值随ｘ的变化关系决定于异质界面两侧带阶参数Ｅｍｖ随ｘ的变化规律．
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页码：705 / 709
页数：5
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