C掺杂SiGe HBT

被引：0

作者：

陈庆华

张庆中

机构：

[1] 电子科技大学微电子与固体电子学院

来源：

微电子学 | 2006年 / 03期

关键词：

瞬时增强扩散; C掺杂SiGe; 异质结双极晶体管;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN322.8 [];

学科分类号：

摘要：

硼的瞬时增强扩散(TED)所造成的外扩散将对双极晶体管的性能产生不利影响。在HBT的SiGe区加入C(<1020cm-3),能够抑制掺杂硼的外扩散。文章讨论了C掺杂的SiGe∶CHBT在性能和工艺上的优势。SiGe∶C HBT的静态参数优于普通SiGe HBT。同时,由于SiGe∶C HBT允许高浓度的硼存在于很薄的SiGe基区层,甚至在外延后经注入和退火仍可保持很高浓度的硼掺杂,所以,SiGe∶C HBT的高频特性有很大的提高。

引用

页码：296 / 299

页数：4