存储器大战——RRAM对决3D NAND闪存

被引:0
|
作者
沈建苗
机构
关键词
RRAM; NAND; 存储器单元; 闪存;
D O I
暂无
中图分类号
TP333 [存贮器];
学科分类号
081201 ;
摘要
我们也许在不久的将来,会拥有高速存储器容量超过1TB的智能手机或平板电脑。几年后,你携带的智能手机、平板电脑或笔记本电脑很可能配备数百GB、甚至数TB超高速存储器,这要感谢存储器领域近日取得的两大进展。首先,三星公司宣布如今它在批量生产3D垂直结构NAND(V-NAND)芯片;随后,新兴公司Crossbar表示,它已开发出了电阻式随机访问存储器(RRAM)芯片的原型产品。
引用
收藏
页码:12 / 13
页数:2
相关论文
empty
未找到相关数据