SiO2/Si衬底制备ZnO薄膜及表征

被引：2

作者：

曹亮亮

叶志镇

张阳

朱丽萍

张银珠

徐伟中

赵炳辉

机构：

[1] 浙江大学硅材料国家重点实验室

来源：

基金：

国家自然科学基金重点项目; 浙江省自然科学基金;

关键词：

ZnO薄膜; SiO2/Si; 脉冲激光沉积; 光致发光;

D O I：

10.13922/j.cnki.cjovst.2005.03.002

中图分类号：

TN304 [材料];

学科分类号：

摘要：

本文报道了利用脉冲激光沉积技术在热氧化p型硅衬底上生长ZnO外延薄膜。引入高阻非晶SiO2缓冲层,有效地降低了检测过程中单晶衬底对ZnO薄膜的电学性能影响。利用XRD,SEM,Hall和PL对其进行研究。结果表明,在衬底温度为500℃时,生长的ZnO薄膜具有优良的晶体质量,电学性能和发光性能。

引用

页码：164 / 167

页数：4

共 15 条

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