溅射时氧分压对LaNiO3-x薄膜性能的影响

被引：2

作者：

赵强

褚君浩

机构：

[1] 华东师范大学物理系

[2] 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室

来源：

功能材料与器件学报 | 2003年 / 03期

关键词：

射频溅射; LaNiO3薄膜; 导电性; 晶格参数;

D O I：

暂无

中图分类号：

TB43 [薄膜技术];

学科分类号：

0805 ;

摘要：

在较低的衬底温度(2600C)和不同氧分压下,采用射频溅射在(111)Si衬底上制备出了具有(100)择优取向的LaNiO3薄膜。SEM分析表明薄膜具有光滑连续的表面和均匀的晶粒尺寸。I-V特性表明薄膜均具有金属导电性,且随着氧分压的增加,电阻率逐步降低并达到一个稳定值10Ω·μm。实验结果同时表明,随着氧含量的增加,Ni、La含量比单调增大,并且当溅射气氛中的氧气分压在20%～30%范围时,Ni、La含量比为1:1而且比较稳定。当氧气分压为30%时,薄膜的晶面间距达到最小值。制备LaNiO3薄膜的最佳氧气分压应该控制在30%左右。

引用

页码：262 / 266

页数：5

共 13 条

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