纳米C和SiC掺杂对MgB2带材超导性能的影响

被引：7

作者：

张现平 ^{[1
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马衍伟 ^{[1
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高召顺 ^{[1
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禹争光 ^{[1
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KWatanabe ^{[2
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闻海虎 ^{[3
]}

机构：

[1] 中国科学院电工研究所应用超导实验室

[2] 日本东北大学金属材料研究所

[3] 中国科学院物理研究所

来源：

物理学报 | 2006年 / 09期

关键词：

MgB2带材; C掺杂; SiC掺杂; 临界电流性能;

D O I：

暂无

中图分类号：

TB383.1 [];

学科分类号：

摘要：

采用X射线衍射仪,扫描电镜,超导量子干涉仪等仪器对纳米C和SiC掺杂的MgB2带材进行了表征,并采用标准四引线法对样品的临界电流进行了测试.实验表明,C和SiC掺杂在提高MgB2带材高场下的临界电流密度方面具有显著效果.在温度为4.2K、磁场大于9T条件下,C和SiC掺杂样品的临界电流密度与未掺杂样品相比均提高一个数量级以上.掺杂样品高磁场下良好的临界电流性能主要归因于C对B的替代所产生的晶格畸变、位错等缺陷和局部成分变化而导致的有效晶内钉扎作用.实验结果表明,SiC掺杂的MgB2带材之所以具有非常好的高场电流特性,和C掺杂的样品一样,C对B的替代起到十分关键的作用.

引用

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