GeSb2Te4薄膜表面形貌及力学性能的分形表征

以不同溅射功率在Si(111)基底上制备了GeSb2Te4薄膜。用原子力显微镜和X射线衍射仪以及高度相关函数法分析了薄膜生长表面形貌的分形维,并用纳米硬度计研究了薄膜表面的力学性能。结果表明,随着溅射功率增大,薄膜表面质量提高,分形维增大,且硬度和弹性上升;但超过一定值后,薄膜表面质量又会降低,分形维也随之减小,硬度和弹性下降。并指出借助分形维数可以优化溅射工艺参数,并能够较好地表征薄膜表面力学性能。