倒置的InGaP/GaAs HBT与常规的InGaP/GaAs HBT器件性能比较分析

被引：0
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作者：
顾磊 [1 ]
熊德平 [2 ]
周守利 [3 ]
彭银生 [3 ]
机构：
[1] 杭州萧山技师学院
[2] 广东工业大学物理与光电工程学院
[3] 浙江工业大学信息工程学院
来源：
集成电路应用 | 2016年 / 33卷 / 11期
基金：
广东省科技计划;
关键词：
InGaP/GaAs; 倒置HBT; 直流特性; 高频特性;
D O I：
10.19339/j.issn.1674-2583.2016.11.005
中图分类号：
TN322.8 [];
学科分类号：
摘要：
基于热场发射-扩散模型,研究两相同器件结构的常规和倒置InGaP/GaAs HBT器件的性能差异。结论表明:倒置InGaP/GaAs HBT具有更好的开启电压和高频特性,而常规的InGaP/GaAs HBT具有更高的直流增益和更大的直流电流输出。
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