n-InGaP/InGaAs/GaAs赝配HEMT

被引：0
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作者：
张汉三
机构：
来源：
微纳电子技术 | 1993年 / 05期
关键词：
HEMT; n-InGaP/InGaAs/GaAs;
D O I：
10.13250/j.cnki.wndz.1993.05.013
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
最近日本富士通公司开发了一种LNA用的新材料系统P-HEMT,它与常规P-HEMT不同,其电子供给层是n-InGaP,而不是n-AlGaAs。因为InGaP的肖特基势垒低（0.7eV,AlGaAs为1.1eV）,故可以减少其厚度,提高L;/t比,有利减少短沟
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