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高能Si+注入Sl-GaAs形成n型埋层
被引：1
|作者：
姬成周
李国辉
吴瑜光
罗晏
王琦
王文勋
机构：
[1] 北京师范大学低能核物理研究所
[2] 北京师范大学分析测试中心
来源：
关键词：
Sl-GaAs;
半绝缘;
薄层;
地层;
埋层;
杂质浓度分布;
载流子密度;
载流子浓度;
退火条件;
离子掺杂;
离子注入;
Si;
D O I：
暂无
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
本文报导0.6～5MeV高能Si+离子注入LEC半绝缘GaAs的快速退火效果,在950℃温度下退火5秒得到最佳电特性.采用多能量叠加注入已制备出平均深度在1.2μm,厚约1.7μm的n+深埋层,载流子浓度为3～5×1017cm-3.在近表面单晶层上作成了性能良好的肖特基接触,其势垒高度约为0.7V.
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页码：245 / 249
页数：5
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