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理解功率MOSFET的电流
被引:6
|
作者
:
刘松
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机构:
万代半导体元件(上海)有限公司
万代半导体元件(上海)有限公司
刘松
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葛小荣
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万代半导体元件(上海)有限公司
万代半导体元件(上海)有限公司
葛小荣
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]
机构
:
[1]
万代半导体元件(上海)有限公司
来源
:
今日电子
|
2011年
/ 11期
关键词
:
MOSFET;
数据表;
漏极电流;
D O I
:
暂无
中图分类号
:
TN386 [场效应器件];
学科分类号
:
0805 ;
080501 ;
080502 ;
080903 ;
摘要
:
通常,在功率MOSFET的数据表中的第一页,列出了连续漏极电流ID,脉冲漏极电流IDM,雪崩电流IAV的额定值,然后对于许多电子工程师来说,他们对于这些电流值的定义以及在实际的设计过程中,它们如何影响系统以及如何选取这些电流值,常常感到困惑不解,本文将系统的阐述这
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页码:35 / 37
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