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FRAM存储“多、快、省”
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关键词：
FRAM;
EEPROM;
量产;
数据丢失;
富士通;
D O I：
暂无
中图分类号：
TP333 [存贮器];
学科分类号：
081201 ;
摘要：
近日,富士通半导体(上海)有限公司市场部经理蔡振宇介绍了FRAM(铁电存储器)产品在应用中的独特优势。拥有15年FRAM量产经验的富士通半导体,用"多、快、省"形象地概括出FRAM的特点。"多"指的是FRAM的高读写耐久性(1万亿次)的特点,可以频繁记录操作历史和系统状态;"快"指的是FRAM的高速烧写(是EEPROM的40000倍)特性,这可以帮助系统设计者解决突然断电数据丢失的问题;"省"是
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