应变层异质结ZnS/ZnSe、ZnS/ZnSxSe1-x和ZnSe/ZnSxSe1-x价带带阶的研究

被引：0

作者：

蔡淑惠

王仁智

郑永梅

郑金成

机构：

[1] 厦门大学物理系

来源：

发光学报 | 1998年 / 04期

关键词：

ZnS／ZnSe、ZnS／ZnSxSe1－x和ZnSe／ZnSxSe1－x异质结，价带带阶，平均键能;

D O I：

暂无

中图分类号：

O471.5 [半导体能带结构];

学科分类号：

摘要：

采用基于原子球近似下线性Ｍｕｆｉｎ－Ｔｉｎ轨道（ＬＭＴＯ－ＡＳＡ）的平均键能计算方法，研究了以ＺｎＳｘＳｅ１－ｘ为衬底，沿（００１）方向外延生长的应变层异质结ＺｎＳ／ＺｎＳｅ、ＺｎＳ／ＺｎＳｘＳｅ１－ｘ和ＺｎＳｅ／ＺｎＳｘＳｅ１－ｘ的价带带阶值ΔＥｖ（ｘ）．研究表明，ΔＥｖ（ｘ）值随衬底合金组分ｘ单调变化．且两者的关系是非线性的．在此计算结果与其它理论计算和实验结果符合较好．

引用

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