共 4 条
UVCVD/UHVCVD技术制备SiGe HBT材料
被引：4
|作者：
戴显英
胡辉勇
张鹤鸣
孙建诚
机构：
[1] 西安电子科技大学微电子所
[2] 西安电子科技大学微电子所 陕西西安
[3] 陕西西安
来源：
关键词：
SiGe材料;
紫外光能量辅助化学气相淀积;
超高真空化学气相淀积;
SiGe异质结双极晶体管;
D O I：
暂无
中图分类号：
TN304.05 [];
学科分类号：
摘要：
介绍了一种新的制备SiGe/Si材料的化学气相沉积技术.该技术组合了紫外光化学气相沉积和超高真空化学气相沉积两种技术的优点,具有超高真空背景和低温淀积的特点.应用该技术在10-7Pa超高真空背景、450℃淀积温度及低于10Pa反应压力的条件下,外延生长了器件级SiGeHBT材料.SIMS分析表明,材料层界面清晰,Ge组分和掺杂分布平坦.此外,还研制出了SiGeHBT器件.
引用
收藏
页码：306 / 308+325
+325
页数：4
相关论文