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N-GaAs/(In,Ga)As HEMT
被引:0
|
作者
:
陈培杖
论文数:
0
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0
h-index:
0
机构:
南京电子器件研究所
南京电子器件研究所
陈培杖
[
1
]
机构
:
[1]
南京电子器件研究所
来源
:
固体电子学研究与进展
|
1987年
/ 04期
关键词
:
HEMT;
N-GaAs;
异质结构材料;
D O I
:
暂无
中图分类号
:
学科分类号
:
摘要
:
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页码:330 / 330
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