氢氧合成氧化炉管改POCL3掺杂炉管

三氯氧磷预淀积是半导体制造过程中常用的掺杂工艺,使用的掺杂源是三氯氧磷液态源,它在工艺过程中分解产生的P2O5淀积在硅片表面,P2O5与硅反应生成SiO2和磷原子,并在硅片表面形成一层磷-硅玻璃,然后磷原子再向硅中进行扩散。本文介绍了SLC99控制系统的氢氧合成炉管改造成POCL3液态氧掺杂炉管的具体步骤及方法。