用于先进BiCMOS技术的超高速SiGe NPN结构

被引：0

作者：

Ｍ．Ｒａｃａｎｅｌｌｉ

Ｋ．Ｓｃｈｕｅｇｒａｆ

机构：

[1] Ｃｏｎｅｘａｎｔ系统公司硅射频平台技术部

来源：

关键词：

SiGe NPN; 基极; BiCMOS; 发射极;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN929.11 [光纤通信];

学科分类号：

摘要：

<正>引言光通信系统中数据传输率的持续提升要求能处理接近２００ＧＨｚＦｔ/Ｆｍａｘ的更高效能工艺技术,虽然似乎可以通过将目前ＳｉＧｅ工艺技术的垂直成形处理方法加以扩展以达到２００ＧＨｚ的最高Ｆｔ值,但是要同时得到２００ＧＨｚ的Ｆｍａｘ本文就不是件简单的工作。

引用

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