SiCw/6061Al复合材料的界面研究

被引：0

作者：

吴昆

耿林

刘庆

姚忠凯

机构：

[1] 哈尔滨工业大学

来源：

金属科学与工艺 | 1991年 / 02期

关键词：

碳化硅; 晶须; 复合材料; 界面;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

本研究用CM12型透射电镜配备的PV9100X射线能谱,对SiCw/6061Al复合材料中碳化硅晶须和相邻铝基体之间界而区域的铝、硅二元素的相对含量进行了测试;并利用JCXA733电子探针设备,测试了由复合材料溶下的碳化硅晶须中铝、硅二元素的相对含量。测试结果表明:铝元素没有向碳化硅晶须中扩散。虽然在碳化硅晶须表层大约50nm范围内存在铝元素的浓度梯度变化,但是否由扩散所致,尚需进一步探讨。

引用

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