共 4 条
- [4] 功率MOSFET与高压集成电路[M]. 东南大学出版社 , 陈星弼, 1990
530～650MHz 20W CW Si-VDMOS场效应晶体管
被引：4
|作者：
刘洪军
[1
]
傅义珠
[1
]
李相光
[1
]
机构：
[1] 南京电子器件研究所
来源：
关键词：
连续波;
硅-垂直双扩散金属氧化物场效应晶体管;
多层复合栅;
D O I：
暂无
中图分类号：
TN386.1 [金属-氧化物-半导体（MOS）器件];
学科分类号：
0805 ;
080501 ;
080502 ;
080903 ;
摘要：
报道了530;50MHz 20W连续波Si-VDMOS场效应晶体管的研制结果。该器件采用polySi/WN/Au的多层复合栅技术降低栅串联电阻,采用栅下场氧化垫高技术降低反馈电容,采用穿通型硅外延材料优化导通电阻提高器件工作效率,全离子注入自对准工艺等技术,在上述频带内,连续波,28V工作电压下,静态电流50mA,该器件输出功率达20W,效率达49%,增益大于7.5dB。
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