宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体及其低维结构的生长和光学性质研究进展

被引：7
|
作者：
范希武 [1 ]
机构：
[1] 中国科学院激发态物理重点实验室 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 长春　吉林　130022
来源：
发光学报 | 2002年 / 04期
基金：
国家攀登计划;
关键词：
Ⅱ-Ⅵ族半导体; 低维结构; 光学性质;
D O I：
暂无
中图分类号：
O472 [半导体性质];
学科分类号：
070205 ; 080501 ; 0809 ; 080903 ;
摘要：
本文系自1979年以来,宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体研究组取得的主要研究成果的简要介绍。取得的主要研究成果可分为如下六个方面:第一,系统地研究了宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体在电场激发下的自由激子发射;第二,创造性地提出并实现了利用宽带Ⅱ-Ⅵ族超晶格的室温激子效应来实现在蓝绿区快响应的光学双稳的物理思想;第三,深入研究了宽带Ⅱ-Ⅵ族超晶格中的激子行为以及激子与元激发态的相互作用,为利用激子获得有效蓝色自发和受激发射提供物理基础和实验途径;第四,研究了ZnSe基非对称双量子阱和组合超晶格中激子的隧穿以及激子的自发和受激发射;第五,CdSe和ZnSeS自组装量子点的生长及其形成机理;第六,ZnO薄膜的生长及其紫外发射特性。
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