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MoO3在SiO2和γ-Al2O3表面分散特征的量子化学研究
被引：0
|作者：
赵丰刚
段玉华
李俊清
伏义路
机构：
[1] 中国科技大学近代化学系
来源：
关键词：
成键;
SiO2;
Al2O3;
表面分散;
MoO3;
成键轨道;
原子轨道;
四面体配位;
键级;
电荷分布;
电性;
势能曲线;
D O I：
暂无
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
本文应用PS-HONDO方法研究了MoO3在SiO2及γ-Al2O3表面分散特征的差别,从其原子簇模型的势能曲线、成键键能、电荷分布、键级和轨道组成等方面进行了分析。结果表明:对于表面四面体配位的钼模型而言,MoO3可在γ-Al2O3表面呈单分子层分散,与γ-Al2O3表面有较强的成键作用;而在SiO2表面则不能分散,几乎不与SiO2表面成键。从而较好地从理论上解释了部分实验现象,为应用量子化学方法研究一种氧化物在另一种氧化物上的分散行为的微观机制提供了一个良好的开端和有益的启示.
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页码：276 / 283
页数：8
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