300mm硅单晶生长过程中热弹性应力的数值分析

被引：1
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作者：
高宇
周旗钢
戴小林
肖清华
机构：
[1] 北京有色金属研究总院有研半导体材料股份有限公司
[2] 北京有色金属研究总院有研半导体材料股份有限公司 北京100088
来源：
稀有金属 | 2007年 / 05期
关键词：
热应力; 模拟; 300mm; 硅单晶;
D O I：
10.13373/j.cnki.cjrm.2007.05.019
中图分类号：
TN304.05 [];
学科分类号：
0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;
摘要：
采用有限体积元法软件CrysVUn对直拉法生长300mm硅单晶热场和热应力分布进行了模拟,模拟考虑了热传导、辐射、气体和熔体对流、热弹性应力等物理现象。针对晶体生长过程中小形变量的塑性形变,以Cauchy第一和第二运动定律作为局部控制方程,考虑了硅单晶的各向异性,计算了<100>硅单晶生长过程中晶体内von Mises应力分布和变化规律,结果表明在等径生长阶段热应力上升最显著,界面上方晶体内热应力随晶体生长速率增大而升高。
引用
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共 3 条
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