宽带隙n-型半导体CuIn5Se8的热电性能研究

被引：0

作者：

周红 ^{[1
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应鹏展 ^{[1
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崔教林 ^{[2
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王晶 ^{[1
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高榆岚 ^{[1
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李亚鹏 ^{[3
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李奕沄 ^{[3
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机构：

[1] 中国矿业大学

[2] 宁波工程学院

[3] 太原理工大学

来源：

稀有金属材料与工程 | 2013年 / 42卷 / 07期

基金：

浙江省自然科学基金;

关键词：

CuIn5Se8; 宽带隙半导体; 热电性能;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN304 [材料];

学科分类号：

摘要：

利用放电等离子烧结技术制备了宽带隙三元半导体化合物CuIn5Se8,并对其热电性能进行了研究。物相分析表明,化合物为单相CuIn5Se8,带隙宽度为1.13eV,比In2Se3合金的低。电学性能测试结果表明,随温度升高Seebeck系数绝对值从370.0μV·K1降低到263.0μV·K1,而电导率则随温度迅速增大。在818K时,其电导率达到最大值2.921031·m1,热导率为0.50W·K1·m1,最高热电优值ZT值达到0.33。

引用

页码：1474 / 1477

页数：4

共 5 条

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