共 1 条
SiC肖特基势垒二极管的研制
被引：16
|作者：
张玉明
张义门
罗晋生
机构：
[1] 西安交通大学微电子工程系!西安710049
[2] 西安电子科学大学微电子所!西安710071
关键词：
肖特基势垒二极管;
热蒸发;
器件特性;
体材料;
SiC;
肖特基接触;
硅二极管;
肖特基势垒高度;
开启电压;
D O I：
暂无
中图分类号：
TN311 [二极管：按工艺分];
学科分类号：
0805 ;
080501 ;
080502 ;
080903 ;
摘要：
本文报道了采用电子束热蒸发的方法用铂（Ｐｔ）做肖特基接触在ｎ 型６ＨＳｉＣ体材料上制作肖特基二极管的工艺过程和器件特性．对实验结果进行了比较分析，ＩＶ特性测量说明Ｐｔ／６ＨＳｉＣ肖特基二极管有较好的整流特性，热电子发射是其主要的输运机理，理想因子为１２３，肖特基势垒高度为１０３ｅＶ，开启电压约为０５Ｖ．
引用
收藏
页码：1040 / 1043
页数：4
相关论文