Si（111）-(3×3)R30°-Ga表面原子结构

被引：0

作者：

邓丙成

徐耕

陈文华

何永健

谢茂海

唐叔贤

机构：

[1] 华南建设学院西院基础部!广州

[2] 中山大学物理系!广州

[3] 香港大学物理系!香港

来源：

半导体学报 | 2001年 / 04期

关键词：

Si; 表面; 原子结构;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN301 [基础理论];

学科分类号：

070205 ;

摘要：

利用自动张量低能电子衍射 (ATL EED)定量地研究 Si(111) - (3× 3) R30°- Ga重构表面的原子结构 .证实了 Ga原子吸附在 T4位即第二层 Si原子所对的空位上 ,同时给出了表面最顶层 7个原子层的详细坐标 .可靠性因子 RVHT=0 .143表明理论计算和实验符合得非常好 .

引用

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