用于802.11a系统的5.8GHz 0.18μm CMOS全集成低噪声放大器设计

被引：0

作者：

蒋东铭

黄风义

陆静学

赵亮

机构：

[1] China

[2] 东南大学射频与光电集成电路研究所

[3] 东南大学射频与光电集成电路研究所南京210096

来源：

电子器件 | 2007年 / 02期

关键词：

低噪声放大器; CMOS工艺; 噪声优化; 电感模型;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN722.3 [低噪声放大器];

学科分类号：

080902 ;

摘要：

通过对输入匹配、噪声和线性度的分析,给出了改进低噪声放大器综合性能的方法.利用软件对电路进行噪声优化,设计出了一个0.18μm CMOS工艺的5.8GHz全集成低噪声放大器.采用工艺厂家提供的电感测试数据进行参数提取,得到精准的电感模型并用于电路仿真.设计结果是整个电路功耗13mW,功率增益为14dBm,噪声系数为2.05dB,线性度指标IIP3为-1dBm.

引用

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页数：4