高组份Al值的AlxGa1-x As和AlxGa1-x As/GaAs/AlxGa1-xAs/GaAs多层结构的MOCVD生长

被引：0
|
作者：
高鸿楷
云峰
张济康
龚平
候洵
机构：
[1] 西安光机所
[2] 西安光机所 710068
来源：
光子学报 | 1991年 / 02期
关键词：
MOCVD; AlGaAs—GaAs; 多层结构;
D O I：
暂无
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
用自制常压MOCVD系统,在半绝缘GaAs衬底上生长高Al组份Al;Ga;As（其x值达0.83）,和Al;Ga;As/GaAs/Al;Ga;As/GaAs多层结构,表面镜面光亮。生长层厚度从几十到十几μm可控,测试表明外延层晶格结构完整,x值调节范围宽,非有意掺杂低,高纯GaAs外延层载流子浓度n;=1.7×10;cm;,n;=1.4×10;cm;,迁移率μ;=5900cmcm;/V.S,μ;=55500cm;/V.S。用电子探针,俄歇能谱仪测不出非有意掺杂的杂质,各层间界面清晰平直。 对GaAs,AlGaAs生长层表面缺陷,衬底偏角生长温度及其它生长条件也进行了初步探讨。
引用
收藏
页码：151 / 158
页数：8
相关论文
共 3 条
  • [1] The effects of the growth temperature on Al x Ga l-x As (0≤ x ≤0.37) LED materials grown by OM-VPE[J] . M. J. Tsai,M. M. Tashima,R. L. Moon.Journal of Electronic Materials . 1984 (2)
  • [2] AN ANALYTICAL EVALUATION OF GAAS GROWN WITH COMMERCIAL AND REPURIFIED TRIMETHYLGALLIUM
    HESS, KL
    DAPKUS, PD
    MANASEVIT, HM
    LOW, TS
    SKROMME, BJ
    STILLMAN, GE
    [J]. JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 1982, 11 (06) : 1115 - 1137
  • [3] Growth of High-Quality Al x Ga 1?x As By OMVPE for laser devices[J] . E. E. Wagner,G. Horn,G. B. Stringfellow.Journal of Electronic Materials . 1981 (1)
1