Si+,Mg+（隐埋）双注入GaAs MESFET

被引：0

作者：

欧海疆

王渭源

赵崎华

蒋新元

机构：

[1] 中国科学院上海冶金研究所

[2] 中国科学院上海冶金研究所上海

来源：

关键词：

Si; 、Mg; （隐埋）双注入; GaAsMESFET; GaAs E-和D-MESFET; 阈值电压V; 均匀性;

D O I：

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中图分类号：

学科分类号：

摘要：

比较了Si;单注入和Si;、Mg;（隐埋）双注入GaAsMESFET的特性.实验表明,设置高能注入Mg;隐埋层后,可大大消除衬底背景杂质对有源层的影响,容易制成性能优于Si;单注入的GaAs E-和D-MESFET,并能提高阈值电压V;均匀性.

引用

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