应变Si1-xGex层材料和Si/Si1-xGex器件物理参数模型

被引：6

作者：

张万荣

李志国

郭伟玲

孙英华

穆甫臣

程尧海

沈光地

罗晋生

机构：

[1] 北京工业大学电子工程系

[2] 西安交通大学微电子研究所

来源：

半导体技术 | 1998年 / 03期

关键词：

Si1－xGex应变层,有效态密度,物理参数;

D O I：

10.13290/j.cnki.bdtjs.1998.03.011

中图分类号：

TN304.120.1,TN304. [];

学科分类号：

摘要：

Ｓｉ／Ｓｉ１－ｘＧｅｘ异质结系统已成功地应用于高速数字、高频微波和光电器件中。对这些器件进行理解和分析时，往往受到应变Ｓｉ１－ｘＧｅｘ材料参数缺乏的制约。本文建立和给出了常温和低温下重要应变Ｓｉ１－ｘＧｅｘ层材料和Ｓｉ／Ｓｉ１－ｘＧｅｘ器件物理参数模型，对Ｓｉ／Ｓｉ１－ｘＧｅｘ异质结器件的理解、研究和设计有重要的实际意义。

引用

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