Mg掺杂Al0.5Ga0.5N薄膜的发光性质研究

被引：0

作者：

李亮

李忠辉

董逊

彭大青

张东国

许晓军

孙永强

周建军

孔月婵

姜文海

陈辰

机构：

[1] 南京电子器件研究所,微波毫米波单片和模块电路重点实验室

来源：

固体电子学研究与进展 | 2012年 / 32卷 / 03期

关键词：

铝镓氮; 镁掺杂; 阴极射线发光; 金属有机物化学气相淀积;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN304.055 [];

学科分类号：

摘要：

利用MOCVD技术在c面蓝宝石衬底上采用AlN缓冲层制备了Mg掺杂Al0.5Ga0.5N薄膜。采用CL测试方法研究了Mg掺杂对Al0.5Ga0.5N薄膜光学特性的影响。测量表明,Mg掺杂导致在Al0.5Ga0.5N薄膜的发光谱中出现了3.9eV的发光带,其发光机理为束缚的施主-受主对(DAP)间的辐射复合跃迁。

引用

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